pegasus3390
Well-Known Member
Western Digital (WD) đã bắt đầu sản xuất những con chip flash 3D NAND thế thệ thứ 3 với khả năng tăng số lớp từ 48 lên 64 và cho khả năng tăng gấp đôi khả năng lưu trữ.
Việc sản xuất những con chip 64 lớp mới đã được bắt đầu tại nhà máy Yokkaichi của WD tại Nhật Bản, Việc giao hàng dự kiến sẽ diễn ra vào quý 4 năm nay và có lẽ sẽ được bán ra thị trường vào nửa đầu 2017
Năm 2015, SanDisk và đối tác của mình là Toshiba đã công bố về việc sản xuất những con chip NAND In 2015, sử dụng công nghệ BiCS (Bit-Cost Scalable NAND). Công nghệ BiCS NAND có khả năng chứa được dung lượng 256Gbit (32GB) và với 3 bit mỗi cell (transitor). Công nghệ mới nhất hiện nay là BiCS3.
Và đến tháng 3 vừa rồi, SanDiske đã bán lại cho WD với giá $19 tỷ USD. Mặc dù vậy công nghệ BiCS 3 vẫn được phát triển cùng với đối tác Toshiba hiện nay đã có thể chứa được 500GB trên một con chip đơn.
Không giống như 2D hoặc Planar NAND với việc chứa một lớp cell NAND phẳng, 3D NAND kết nối các cell theo chiều dọc. Nếu như 2D NAND bị giới hạn bởi vấn đề về kích cỡ và khả năng xảy ra lỗi (khi đưa quá nhiều bit trên mỗi cell) thì những con chip NAND 3D lại không bị ảnh hưởng bởi vấn đề này.
WD không phải là công ty duy nhất phát triển 3D NAND. Vào năm 2013, Samsung trở thành công ty đầu tiên giới thiệu TLC “V-NAND” sắp xếp theo chiều dọc với 32 lớp cấu trúc dựa trên công nghệ Charge Trap Flash (CTF) và kết nối xử lý các cell dạng mạng lưới.
Vào năm 2014, Samsung bắt đầu tung ra những mẫu V-NAND (chip NAND theo chiều dọc) với 32 lớp và đến năm ngoái hãng này đã đạt được đến 48 lớp. Công ty này hiện tại nói rằng hãng đang nghiên cứu một nguyên mẫu SSD có khả năng chứa đến 15TB cho máy tính.
Intel và đối tác SSD Micron cũng đã công bố công nghệ 3D NAND 48 lớp. Hai công ty này đang chuẩn bị để tung ra bộ nhớ mới 3D Xpoint, chúng ta vẫn thường nghe với tên Optane gần đây, vào cuối năm nay. Bộ nhớ mới sẽ có tốc độ nhanh hơn 1.000 lần NAND flash trong khi có độ bền cũng cao hơn 1.000 lần và tất nhiên là giá của chúng dự kiến cũng sẽ rất cao. Với những sản phẩm ban đầu thì bộ nhớ 3D Xpoint sẽ lưu tữ 128Gbits (16GB) mỗi chip.
Còn với 3D NAND flash cho phép đạt được sự ổn định hơn 10 lần và tốc độ ghi hơn gấp đôi so với planar NAND. Điều quan trọng hơn là 3D NAND sẽ phá bỏ được các giới hạn mà các nhà sản xuất gặp phải khi sản xuất bộ nhớ với kích thước dưới 15 nm bởi khi các cell quá nhỏ thì dễ gây ra lỗi do rò rỉ electron từ các cell.
Phía WD cho biết họ đang chuẩn bị để tạo ra các 3D NAND với hơn 100 lớp.
