SanDisk và Toshiba vừa giới thiệu mẫu chip 256 Gbit (32GB) có dung lương cao nhất từ trước đến nay với 3 bit-per-cell và 48 layer. Một tin mừng là Sandisk công bố sẽ thiết kế chip này với mục đích sử dụng rộng rãi cho lượng lớn khách hàng, kể cả cho di động và các sản phẩm cho doanh nghiệp. Hai mẫu NAND với dung lượng 256Gb x3 chips này đang được sản xuất thí điểm tại nhà máy mới của họ tại Yokkaichi, Nhật Bản. Sandisk và Toshiba tuyên bố rằng họ sẽ ra mắt những con chip này trong năm sau.
Mẫu chip nhớ 256Gbit này dựa trên công nghệ in 15nm và sẽ phù hợp với rất nhiều mục đích hiện nay, nhất là việc tích hợp trên các thiết bị SSD, di động thông minh, tablet, thẻ nhớ và quan trong hơn cả là cung cấp SSD cho các trung tâm dữ liệu. Đây có lẽ là thành quả của Sandisk và Toshiba trong một nỗ lực hợp tác để cùng đưa vào hoạt động nhà máy sản xuất wafer mới trong năm ngoái. Nhà máy mới này được công bố có giá trị vào khoảng 4.84 tỷ USD và sẽ phục vụ chủ yếu việc sản xuất ra các mẻ wafer chip nhớ 3D V-NAND.
Về chi tiết, Sandisk và Toshiba sẽ ứng dụng công nghệ BiCS (Bit Cost Scaling) dựa trên nền tảng sắp xếp các cell theo chiều dọc. Tuy nhiên, một điều cần lưu ý là họ sẽ sử dụng TLC Flash thay thế cho mẫu MLC đã được Toshiba sử dụng trong tháng 3 vừa rồi.
“BiCS là một công nghệ bộ nhớ mới, mang đến khả năng lưu trữ với mật độ dày hơn cũng như hiệu suất cao hơn cho các thiết bị dùng bộ nhớ flash hiện tại” đại diện Sandisk cho biết “BiCS NAND cũng sẽ cung cấp khả năng đọc/xoá nhiều hơn và bền hơn, tốc độ đọc ghi dữ liệu được cải thiện, hiệu suất năng lượng tốt hơn so với các mẫu 2D NAND hiện tại”.
Được biết trong năm ngoái, Samsung là một trong hãng công nghiệp bán dẫn tiên phong đi vào sản xuất các mẫu 3D NAND. Samsung gọi công nghệ của họ là V-NAND với khả năng cung cấp 2-10 lần độ bền và hiệu năng gấp đôi so với thế hệ cũ. Thông tin thêm là TLC được biết đến với giá thành rẻ, dung lượng lưu trữ cao trong khi hiệu suất thấp và tỉ lệ lỗi nhiều hơn so với các mẫu MLC cũ. Có lẽ cần có thời gian để kiểm nghiệm thêm về công nghệ BiCS mới này.
Công nghệ BiCS mới dựa trên nền tảng 3D NAND
Mẫu chip nhớ 256Gbit này dựa trên công nghệ in 15nm và sẽ phù hợp với rất nhiều mục đích hiện nay, nhất là việc tích hợp trên các thiết bị SSD, di động thông minh, tablet, thẻ nhớ và quan trong hơn cả là cung cấp SSD cho các trung tâm dữ liệu. Đây có lẽ là thành quả của Sandisk và Toshiba trong một nỗ lực hợp tác để cùng đưa vào hoạt động nhà máy sản xuất wafer mới trong năm ngoái. Nhà máy mới này được công bố có giá trị vào khoảng 4.84 tỷ USD và sẽ phục vụ chủ yếu việc sản xuất ra các mẻ wafer chip nhớ 3D V-NAND.
Về chi tiết, Sandisk và Toshiba sẽ ứng dụng công nghệ BiCS (Bit Cost Scaling) dựa trên nền tảng sắp xếp các cell theo chiều dọc. Tuy nhiên, một điều cần lưu ý là họ sẽ sử dụng TLC Flash thay thế cho mẫu MLC đã được Toshiba sử dụng trong tháng 3 vừa rồi.
“BiCS là một công nghệ bộ nhớ mới, mang đến khả năng lưu trữ với mật độ dày hơn cũng như hiệu suất cao hơn cho các thiết bị dùng bộ nhớ flash hiện tại” đại diện Sandisk cho biết “BiCS NAND cũng sẽ cung cấp khả năng đọc/xoá nhiều hơn và bền hơn, tốc độ đọc ghi dữ liệu được cải thiện, hiệu suất năng lượng tốt hơn so với các mẫu 2D NAND hiện tại”.
Được biết trong năm ngoái, Samsung là một trong hãng công nghiệp bán dẫn tiên phong đi vào sản xuất các mẫu 3D NAND. Samsung gọi công nghệ của họ là V-NAND với khả năng cung cấp 2-10 lần độ bền và hiệu năng gấp đôi so với thế hệ cũ. Thông tin thêm là TLC được biết đến với giá thành rẻ, dung lượng lưu trữ cao trong khi hiệu suất thấp và tỉ lệ lỗi nhiều hơn so với các mẫu MLC cũ. Có lẽ cần có thời gian để kiểm nghiệm thêm về công nghệ BiCS mới này.
Nguồn: ZDNet
Chỉnh sửa lần cuối:
