Một trong những sự kiện nổi bật nhất tại Hội thảo mạch điện trạng thái rắn quốc tế ISSCC năm nay, đó là việc Samsung và Hynix đã trình diễn các nguyên mẫu kỹ thuật của bộ nhớ DDR4 tiên tiến. Không chỉ dừng lại ở đó, hai công ty bán dẫn hàng đầu Hàn Quốc còn tiết lộ những thông tin cực kỳ hấp dẫn khác, trong đó đáng chú ý nhất là việc sản xuất đại trà bộ nhớ DDR4 ngay trong năm nay để nhằm thay thế hoàn toàn công nghệ DDR3 vào năm 2014. Nguyên mẫu DDR4 của Samsung được chế tạo dựa trên dây chuyền 30nm và có thể hoạt động với xung nhịp 2133 MHz, ở mức điện thế 1,2 V. Trong khi đó nguyên mẫu của Hynix lại được chế tạo dựa trên dây chuyền 38nm và hoạt động với xung nhịp 2400 MHz. JEDEC, cơ quan giám sát sự phát triển của ngành công nghiệp bộ nhớ, đã xây dựng quy chuẩn cho phép các bộ nhớ DDR4 đầu tiên có thể được chế tạo với dung lượng 32 GB, hỗ trợ ECC và sẽ sử dụng ở phân khúc thị trường máy chủ với xung nhịp tối đa là 2400 MHz. Trong khi đó các thanh nhớ DDR4 dành cho máy tính để bàn sẽ chạy ở xung nhịp từ 2133 MHz đến 3200 MHz. 
Theo PCWorld Pháp |
Chỉnh sửa lần cuối:
