terabyte
Banned
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), công ty gia công linh kiện bán dẫn lớn nhất thế giới, tin rằng dây chuyền sản xuẩt 10 nm của hãng không chỉ đi vào hoạt động cùng thời điểm với Intel, mà còn đem lại hiệu năng cũng như mật độ tương tự đối thủ.
Trong một động thái đẩy nhanh tốc độ thương mại hóa của tiến trình chế tạo các bóng bán dẫn theo công nghệ FinFET, hãng gia công linh kiện bán dẫn lớn nhất thế giới TSMC đã buộc phải kết hợp cả công nghệ multi-gate transistors và back-end-of-line (BEOL) interconnect flows trên dây chuyền sản xuất 20 nm của mình. Kết quả là mặc dù TSMC, GlobalFoundries và Samsung Electronics đều chính thức cung cấp dây chuyền sản xuất 14 nm và 16 nm FinFET đến khách hàng, cho phép tăng hiệu năng của nhiều loại chip hoặc cắt giảm điện năng tiêu thụ của chúng, các chip thành phẩm trên thực tế có kích thước chỉ tương với các chip sử dụng công nghệ 20 nm. Trong khi đó, Intel sở hữu dây chuyền sản xuất 14 nm "thực sự" đã giúp nhà sản xuất chip lớn nhất thế giới này chế tạo những CPU kích thước nhỏ hơn với chi phí thấp nhưng vẫn đảm bảo được hiệu năng. Với cuộc đua 10 nm, TSMC sẽ chuyển sang dây chuyền 10nm BEOL interconnects, đem lại giải pháp thu nhỏ các bộ xử lý dành cho khách hàng của họ.
“Hiệu suất của dây chuyền 10 nm của chúng tôi, xét về mặt tốc độ, sức mạnh và mật độ đều sẽ ngang ngửa với những gì mà chúng ta tin rằng Intel sẽ đạt được với công nghệ sản xuất 10 nm của họ,” giám đốc truyền thông tập đoàn TSMC là Elizabeth Sun cho biết trong cuộc phỏng vấn với EE Times. “Xét về công nghệ, chúng tôi nghĩ rằng mình có thể thu hẹp khoảng cách (với Intel) ở 10 nm.”
Theo dự đoán của TSMC, dây chuyền 10 nm FinFET của hãng sẽ giúp cải thiện 25% tốc độ xung nhịp của so với chip được sản xuất theo dây chuyền 16 nm FinFET+ ở cùng một mức năng lượng. Không dừng lại ở đó, hãng dự kiến mức điện năng tiêu thụ sẽ được tiết kiệm đến 45% và mật độ các bóng bán dẫn sẽ tăng 2,2 lần so với dây chuyền 16 nm FinFET+, một mức cải thiện đáng kể. Quá trình sản xuất thử nghiệm của chip 10nm FinFET sẽ được bắt đầu vào Quý 4/2015, trong khi thời điểm sản xuất đại trà sẽ bắt đầu vào năm 2017.
Theo báo cáo, TSMC sẽ sử dụng cả công cụ in bóng bán dẫn chìm truyền thống (immersion) và công cụ in bằng tia siêu cực tím (EUV) cho dây chuyền gia công 10 nm. Hãng hiện tại vẫn chưa cung cấp chi tiết về kế hoạch sử dụng EUV của mình. Giải pháp sử dụng EUV cho dây chuyền 10 nm vẫn còn đang trong giai đoạn được cân nhắc bởi còn phụ thuộc vào thời điểm công nghệ này sẵn sàng áp dụng cho quá trình sản xuất.
“Chúng tôi đang làm việc với ASML với mục tiêu là ở một thời điểm nào trong tương lai, nếu như như công nghệ EUV sẵn sàng thì chúng tôi sẽ áp dụng nó vào một phần trong dây chuyền gia công 10 nm,” bà Sun cho biết. “Áp dụng một phần đồng nghĩa với chỉ một số lớp bán dẫn quan trọng. Đây vẫn còn là một công nghệ đang trong thời kỳ phát triển.”
TSMC thời gian gần đây đã đầu tư rất mạnh vào việc nghiên cứu, phát triển và mở rộng dây chuyền sản xuất của mình. Điều này hứa hẹn sẽ giúp hãng sở hữu công nghệ sản xuất chip ngang ngửa với Intel, vốn được biết đến như là hãng dẫn đầu về công nghệ chế tạo chip hiện nay.
Trong một động thái đẩy nhanh tốc độ thương mại hóa của tiến trình chế tạo các bóng bán dẫn theo công nghệ FinFET, hãng gia công linh kiện bán dẫn lớn nhất thế giới TSMC đã buộc phải kết hợp cả công nghệ multi-gate transistors và back-end-of-line (BEOL) interconnect flows trên dây chuyền sản xuất 20 nm của mình. Kết quả là mặc dù TSMC, GlobalFoundries và Samsung Electronics đều chính thức cung cấp dây chuyền sản xuất 14 nm và 16 nm FinFET đến khách hàng, cho phép tăng hiệu năng của nhiều loại chip hoặc cắt giảm điện năng tiêu thụ của chúng, các chip thành phẩm trên thực tế có kích thước chỉ tương với các chip sử dụng công nghệ 20 nm. Trong khi đó, Intel sở hữu dây chuyền sản xuất 14 nm "thực sự" đã giúp nhà sản xuất chip lớn nhất thế giới này chế tạo những CPU kích thước nhỏ hơn với chi phí thấp nhưng vẫn đảm bảo được hiệu năng. Với cuộc đua 10 nm, TSMC sẽ chuyển sang dây chuyền 10nm BEOL interconnects, đem lại giải pháp thu nhỏ các bộ xử lý dành cho khách hàng của họ.
“Hiệu suất của dây chuyền 10 nm của chúng tôi, xét về mặt tốc độ, sức mạnh và mật độ đều sẽ ngang ngửa với những gì mà chúng ta tin rằng Intel sẽ đạt được với công nghệ sản xuất 10 nm của họ,” giám đốc truyền thông tập đoàn TSMC là Elizabeth Sun cho biết trong cuộc phỏng vấn với EE Times. “Xét về công nghệ, chúng tôi nghĩ rằng mình có thể thu hẹp khoảng cách (với Intel) ở 10 nm.”
Theo dự đoán của TSMC, dây chuyền 10 nm FinFET của hãng sẽ giúp cải thiện 25% tốc độ xung nhịp của so với chip được sản xuất theo dây chuyền 16 nm FinFET+ ở cùng một mức năng lượng. Không dừng lại ở đó, hãng dự kiến mức điện năng tiêu thụ sẽ được tiết kiệm đến 45% và mật độ các bóng bán dẫn sẽ tăng 2,2 lần so với dây chuyền 16 nm FinFET+, một mức cải thiện đáng kể. Quá trình sản xuất thử nghiệm của chip 10nm FinFET sẽ được bắt đầu vào Quý 4/2015, trong khi thời điểm sản xuất đại trà sẽ bắt đầu vào năm 2017.
Theo báo cáo, TSMC sẽ sử dụng cả công cụ in bóng bán dẫn chìm truyền thống (immersion) và công cụ in bằng tia siêu cực tím (EUV) cho dây chuyền gia công 10 nm. Hãng hiện tại vẫn chưa cung cấp chi tiết về kế hoạch sử dụng EUV của mình. Giải pháp sử dụng EUV cho dây chuyền 10 nm vẫn còn đang trong giai đoạn được cân nhắc bởi còn phụ thuộc vào thời điểm công nghệ này sẵn sàng áp dụng cho quá trình sản xuất.
“Chúng tôi đang làm việc với ASML với mục tiêu là ở một thời điểm nào trong tương lai, nếu như như công nghệ EUV sẵn sàng thì chúng tôi sẽ áp dụng nó vào một phần trong dây chuyền gia công 10 nm,” bà Sun cho biết. “Áp dụng một phần đồng nghĩa với chỉ một số lớp bán dẫn quan trọng. Đây vẫn còn là một công nghệ đang trong thời kỳ phát triển.”
TSMC thời gian gần đây đã đầu tư rất mạnh vào việc nghiên cứu, phát triển và mở rộng dây chuyền sản xuất của mình. Điều này hứa hẹn sẽ giúp hãng sở hữu công nghệ sản xuất chip ngang ngửa với Intel, vốn được biết đến như là hãng dẫn đầu về công nghệ chế tạo chip hiện nay.
Theo Kitguru
)
