pegasus3390
Well-Known Member
Một giải pháp thay thế bộ nhớ DRAM giá rẻ hơn sẽ là một bước tiến gần hơn trong việc tạo ra các trung tâm dữ liệu cho doanh nghiệp và IBM cũng đã cải thiện giúp cho nó dung lượng lớn hơn.
Bộ nhớ thay đổi theo pha (PCM) là một trong những công nghệ mới được phát triển với mục tiêu đạt được tốc độ nhanh hơn bộ nhớ flash nhưng có giá thấp hơn so với DRAM. Công nghệ này giúp các doanh nghiệp cũng như người dùng khả năng truy cập dữ liệu nhanh hơn với mức chi phí thấp hơn, tuy nhiên vẫn có nhiều thách thức phải vượt qua trước khi nó có thể đưa vào thực tế.
Một trong những vấn đề họ phải đối mặt chính là mật độ lưu trữ. IBM cho biết họ đã đạt được một tầm cao mới trong công nghệ này với mỗi cell có thể chứa được 3 bit bộ nhớ. Điều này có nghĩa là họ đã tăng dung lượng lên hơn 50% so với lần đầu giới thiệu công nghệ PCM này với chỉ 2 bit bộ nhớ. Mật độ lớn hơn nghĩa là IBM có thể đưa thêm nhiều bộ nhớ vào, tuy nhiên công nghệ này vẫn rất đắt đỏ.
Công nghệ PCM này đã được đưa vào một số sản phẩm, nhưng chỉ với một số lượng rất nhỏ. Công nghệ này hoạt động bằng cách chuyển đổi một dạng vật liệu giống thủy tinh từ dạng vô định sang tinh thể bằng cách sử dụng điện tích. Giống như bộ nhớ NAND, nó sẽ vẫn tiếp tục lưu trữ dữ liệu khi mà thiết bị tắt đi, đây là điều mà DRAM không thể làm đươc. Tuy nhiên, bộ nhớ PCM phản hồi những tín hiệu dữ liệu nhanh hơn so với bộ nhớ flash: chỉ chưa đầy 1 micro giây so với 70 micro giây của bộ nhớ flash, theo như phát biểu từ IBM. Nó cũng có thể “sống” lâu hơn bộ nhớ flash với tối thiểu 10 triệu lần ghi so với trung bình chỉ khoảng 3.000 lần của bộ nhớ flash.
Bộ nhớ 3-bit PCM có thể sử dụng như một dạng bộ nhớ dạng nhúng hoặc bộ nhớ toàn phần để đưa dữ liệu thường xuyên sử dụng xử lý nhanh hơn. Nó cũng có thể thay thế hệ thống DRAM từ đó giảm thiểu chi phí. Ngay cả người dùng phổ thông cũng có thể hưởng lợi từ công nghệ này. Ví dụ như hệ điều hành điện thoại được lưu trữ ngay trên bộ nhớ này có thể khiến một chiếc điện thoại khởi động chỉ trong vài giây.
Điểm giao thoa giữa bộ nhớ RAM và flash có thể là đây. Cả Intel lẫn Micron đang hướng đến công nghệ 3D Xpoint với việc xếp chồng các lớp với nhau. Trong khi các công nghệ khác cũng được chú ý bao gồm RRAM (resistive RAM), MRAM (magnetoresistive RAM) và Memristor.
Cũng giống như công nghệ 3D Xpoint, 3-bit PCM có thể vượt qua các rào cản thông qua việc sản xuất số lượng lớn cùng với sự ủng hộ từ phía các nhà sản xuất chip. Hiện nay, trong khi Intel đang dùng công nghệ 3D Xpoint để chạy trên kiến trúc x86, trong khi IBM lại mở đường cho PCM với việc đưa nó vào kiến trúc chip Power của mình. Việc sản xuất đại trà có thể sẽ giúp đẩy chi phí công nghệ mới xuống.
IBM cũng đưa ra thêm 2 tính năng khác để chứng minh rằng công nghệ PCM này rất có tiềm năng. Một là cách thức điều chỉnh cái gọi à “drift” với khả năng giảm lượng dữ liệu mà bộ nhớ cần phải dùng là chỉ giữ lại những thông tin cần thiết. Thứ hai là vấn đề về nhiệt của PCM, bộ nhớ này có thể chạy ổn định trong nhiệt độ bình thường.
Một vấn đề khác là làm sao truyền dữ liệu cho bộ vi xử lý mà không làm chậm lưu lượng dữ liệu. IBM đã sử dụng CAPI, giao thức tốc độ cao sử dụng trên các server Power của hãng. Giao thức này dựa trên nền tảng kết nối PCIe.
IBM chưa cho biết khi nào những bộ nhớ 3-bit PCM sẽ được bán ra trên thị trường phổ thông, một phần vì hãng không sản xuất bộ nhớ và phải tìm đối tác (công ty này đã hợp tác với SK Hynix để tạo ra bộ nhớ PCM trước đây) nhưng cũng phải mất 2 đến 3 năm để có thể sản xuất với số lượng lớn.
